Elektroniikka- ja puolijohdesovelluksissa piikarbidin tärkeimmät edut ovat:
Korkea lämmönjohtavuus 120-270 W/mK
Alhainen lämpölaajenemiskerroin 4.0x10^-6/aste
Suuri maksimivirrantiheys
Näiden kolmen ominaisuuden yhdistelmä antaa piikarbidille ylivoimaisen sähkönjohtavuuden, etenkin verrattuna piihin, joka on SiC:n suositumpi serkku. SiC:n materiaaliominaisuudet tekevät siitä erittäin edullisen suuritehoisiin sovelluksiin, joissa vaaditaan suurta virtaa, korkeaa lämpötilaa ja korkeaa lämmönjohtavuutta.
Viime vuosina SiC:stä on tullut keskeinen toimija puolijohdeteollisuudessa, sillä se antaa virtaa MOSFETeille, Schottky-diodeille ja tehomoduuleille suuritehoisissa ja suorituskykyisissä sovelluksissa. Vaikka ne ovat kalliimpia kuin pii-MOSFETit, jotka tyypillisesti rajoittuvat 900 V:n läpilyöntijännitteeseen, SiC sallii lähes 10 kV:n kynnysjännitteen.
SiC:llä on myös erittäin pienet kytkentähäviöt ja se voi ylläpitää korkeita toimintataajuuksia, mikä mahdollistaa sen tehokkuuden, joka on tähän mennessä lyömätön, erityisesti sovelluksissa, jotka toimivat yli 600 voltin jännitteillä. Oikein käytettynä piikarbidilaitteet voivat vähentää muuntimen ja invertterijärjestelmän häviöitä lähes 50 %, kokoa 300 % ja järjestelmän kokonaiskustannuksia 20 %. Tämä järjestelmän kokonaiskoon pieneneminen tekee piikarbidista erittäin hyödyllisen paino- ja tilaherkissä sovelluksissa.
