Elektroniikassa ja puolijohdetekniikassa piikarbidin tärkeimmät edut ovat:
Korkea lämmönjohtavuus 120-270 W/mK
Alhainen lämpölaajenemiskerroin 4,0x10^-6/aste
Suuri maksimivirrantiheys
Näiden kolmen ominaisuuden yhdistelmä antaa SiC:lle ylivoimaisen sähkönjohtavuuden, etenkin verrattuna piikarbidin suositumpaan serkuun. SiC-materiaalin ominaisuudet tekevät siitä erittäin edullisen suuritehoisiin sovelluksiin, joissa vaaditaan suurta virtaa, korkeaa lämpötilaa ja korkeaa lämmönjohtavuutta.
Viime vuosina piikarbidista on tullut keskeinen toimija puolijohdeteollisuudessa, sillä se antaa virtaa MOSFETeille, Schottky-diodeille ja tehomoduuleille suuritehoisissa ja tehokkaissa sovelluksissa. Vaikka ne ovat kalliimpia kuin pii-MOSFETit, jotka tyypillisesti rajoittuvat 900 V:n läpilyöntijännitteeseen, piikarbidilla voidaan saavuttaa lähes 10 kV:n kynnysjännitteet.
SiC:llä on myös erittäin pienet kytkentähäviöt ja se voi tukea korkeita toimintataajuuksia, mikä mahdollistaa sen tehokkuuden, joka on vertaansa vailla, erityisesti sovelluksissa, jotka toimivat yli 600 voltin jännitteillä. Oikein käytettynä SiC--laitteet voivat vähentää muuntimen ja invertterijärjestelmän häviöitä lähes 50 %, - kokoa 300 % ja järjestelmän kokonaiskustannuksia - 20 %. Tämä järjestelmän kokonaiskoon pieneneminen tekee piikarbidista erittäin hyödyllisen paino- ja tilaherkissä sovelluksissa.