Sintrattu piikarbidi

Merkki: ZhenAn
Tuotteen nimi: Sintrattu piikarbidi
Käyttölämpötila: 1600 astetta
Tiheys: > 3,08 g/cm³
Avoin huokoisuus: < 0,1 %
Taivutuslujuus: 480-600 MPa
Murtunut lujuus: 1950-2600 MPa
Moduulielastisuus: 420-450 GPa
Lämmönjohtavuus: 74 W/mk

Lähetä kysely

Kuvaus

Tekniset parametrit

Sintrattu piikarbidi

Merkki: ZhenAn

Tuotteen nimi: Sintrattu piikarbidi

Käyttölämpötila: 1600 astetta

Tiheys: > 3,08 g/cm³

Avoin huokoisuus: < 0,1 %

Taivutuslujuus: 480-600 MPa

Murtunut lujuus: 1950-2600 MPa

Moduulielastisuus: 420-450 GPa

Lämmönjohtavuus: 74 W/mk

Tuotteen kuvaus

Sintrattu piikarbidi (SiC) valmistetaan sekoittamalla aluksi hienojakoista (alimikronista) ja puhdasta piikarbidijauhetta oksidittomien sintrausapuaineiden kanssa. Jauhemainen materiaali muodostetaan tai tiivistetään käyttämällä useimpia tavanomaisia keraamisia muovausprosesseja, kuten meistipuristus, isostaattinen puristus ja ruiskupuristus. Muovausvaiheen jälkeen materiaali sintrataan inertissä ilmakehässä yli 2000 asteen lämpötiloissa. Sintrattu piikarbidi voidaan sitten työstää tarkkoihin toleransseihin käyttämällä erilaisia tarkkoja timanttihionta- tai läppäystekniikoita.

Tuotteen erittely

Tuote	Yksikkö	SSIC
Tiheys	g/cm³	3.10-3.15
Kovuus	HRA	92-94
Huokoisuus	%	<0.2
Puristuslujuus	Mpa	Suurempi tai yhtä suuri kuin 2200
Taivutuslujuus	Mpa	Suurempi tai yhtä suuri kuin 4000
Elastisuusmoduuli	GPA	400
Lämmönjohtavuuskerroin	W/m●k	120-150
Lämpölaajenemiskerroin	10 -6●1/ aste	4.0
Max käyttölämpötila	tutkinnon	1600
Sähkövastus	Ω . cm	5*10^{^6}